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概述
SiC/IGBT及其应用发展
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、高速开关特性和低导通状态损耗等特点,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
新能源汽车受800V驱动,以主逆变为代表的SiC渗透全面提速,贡献最大下游市场并带动充电桩、光储及UPS市场逐步增长。碳化硅器件当前以电压等级600-1700V,功率等级10kW-1MW的硅基IGBT为主要替代对象.以下五类细分应用成为当前及未来的核心潜力领域:
800V架构带来的直接性能提升,叠加供给端、应用端、成本端多重利好,推动新能源汽车成为SiC未来5年核心应用阵地。
SiC/IGBT功率半导体器件主要测试参数
近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件,并得到越来越广泛的应用,那么IGBT的测试就变的尤为重要了。lGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、功率循环、HTRB可靠性测试等,这些测试中最基本的测试就是静态参数测试。
随着半导体制程工艺不断提升,测试和验证也变得更加重要。通常,主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态特性、开关特 性。静态参数特性主要是表征器件本征特性指标,与工作条件无关的相关参数,如很多功率器件的的静态直流参数(如击穿电压 V(BR)DSS、漏电流I CES/IDSS/IGES/IGSS、阈值电压VGS(th)、跨导Gfs、压降VF 、导通内阻RDS(on))等。 功率半导体器件是一种复合全控型电压驱动式器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时半导体功率器件的芯片属 于电力电子芯片,需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高,这给测试带来了一定的困难。市面 上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求,但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却 极大扩展了高压、高速的分布区间。如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性,这就对器件的测试工具提出更 为严苛的挑战。
9001jcc金沙以诚为本IGBT功率半导体器件静态参数测试解决方案
PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉9001jcc金沙以诚为本正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率 二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试,并具有优秀的测量 效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。
针对用户不同测试场景的使用需求,9001jcc金沙以诚为本全新推出 PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件 静态参数产线半自动化测试系统、PMST-AP功率器件静 态参数产线全自动化测试系统三款功率器件静态参数测试系统。
从实验室到小批量、大批量产线的全覆盖
从Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆盖
从晶圆、芯片、器件、模块到IPM的全覆盖
产品特点
1、高电压、大电流
具有高电压测量/输出能力,电压高 达3500V(最大可扩展至10kV)
具有大电流测量/输出能力,电流高 达6000A(多模块并联)
2、高精度测量
nA级漏电流,μΩ级导通电阻
0.1%精度测量
四线制测试
3、模块化配置
可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元
系统预留升级空间,后期可添加或 升级测量单元
4、测试效率高
内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元
支持国标全指标的一键测试
5、软件功能丰富
上位机自带器件标准参数测试项目模板,可直接调取使用
支持曲线绘制
自动保存测试数据,并支持EXCEL格式导出
开放的标准SCPI指令集,可与第三方系统集成
6、扩展性好
支持常温及低温、高温测试
可灵活定制各种夹具
可与探针台,温箱等第三方设备联动使用
硬件特色与性能优势
1、大电流输出响应快,无过冲
采用自主开发的高性能脉冲式大电流源、高压源,输出建立过 程响应快、无过冲。测试过程中,大电流典型上升时间为15μs, 脉宽在50~500μs之间可调。采用脉冲大电流的测试方式,可有 效降低器件因自身发热带来的误差。
2、高压测试支持恒压限流,恒流限压模式
采用自主开发的高性能高压源,输出建立与断开响应快、无过 冲。在击穿电压测试中,可设定电流限制或者电压限值,防止 器件因过压或过流导致损坏。
规格参数