随着III-V族新型半导体材料的快速发展与创新应用，针对氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和其它一些化合物半导体的特征表征，如何像直流测量那样，轻松实现超快的I-V源和测量操作？如何通过使用窄脉冲和/或低占空比脉冲，而不是直流信号来防止器件的自热效应？如何满足既需要超快电压输出，又需要同步高灵敏度电流测量的应用需求？
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